高压配电室综合保护器CPU板RAM

高压配电室综合保护器CPU板 高压配电室综合保护器CPU板RAM 频繁烧毁分析与研究

一、原因分析

1、直流系统电压对地漂移较大1.1 在1#高配室直流系统检查中，使用万 1#高配室直流系统检查中，使用万 用表测量正、负极对地电压在20-200伏间 用表测量正、负极对地电压在20-200伏间 漂动，对地电压不能恒定。

1.2 引起直流系正、负极对地漂动的原因。

1.2.1蓄电池如有质量问题，比如极间放电 1.2.1蓄电池如有质量问题，比如极间放电 时，就有可能导致直流对地电压漂动。

1.2.2保护装置接、通讯地与地网连结，而 1.2.2保护装置接、通讯地与地网连结，而 屏蔽地与箱体连结，如果接地系统内还存 在接地不可靠，都将会引起地电位的来回 漂动，也可能导致直流对地电压漂动(接 地网接地电阻超标﹥20欧姆)。 地网接地电阻超标﹥20欧姆)。

2、直流系统对地电压漂动的严重后果

由于直流系统正、负极对地电压漂动，恶 化了保护装置内部弱电系统的工作环境， 影响保护装置的工作性能，地电位反复迅 速的漂移，对一些工作电源比较敏感的电 子元件(如RAM)产生反复冲击，将造成 子元件(如RAM)产生反复冲击，将造成 无法避免的破坏作用，在极端的情况下会 烧毁核心芯片或关键元器件，使保护装置 无法正常运行。

二、结论1#高配室CPU板RAM烧坏的主要原因是： 1#高配室CPU板RAM烧坏的主要原因是： 直流系统对地电压漂动较大，引起地电位 的变化。

三、整改措施更换蓄电池组一套，排除因电池质量问题 引起的直流系统正、负极对地电压的漂动； 重新布置接地网，并于原接地网联结，接 地电阻符合规范要求(﹤ 地电阻符合规范要求(﹤4欧姆)排除接地 网不可靠问题。

四、效果整改措施实一年多来，综合保护装置CPU 整改措施实一年多来，综合保护装置CPU 板RAM烧坏现象基本得到控制，直流系统 RAM烧坏现象基本得到控制，直流系统 电压漂动现象有了较的改善。