室温固化导热阻燃有机硅电子灌封胶的制备及性能研究(3)

ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ

ｏｆ

ｓｉｌｉｃｏｎｅｅｎｃａｐｓｕｌａｎｔ

ｍ（基础胶）：ｍ（Ａ１２０３）：ｍ（ＡＩ（ＯＨ）３）

检测项目

１００：１２０：ｉ００：１３０：１００：１４０：１００：１５０：

８０

７０

６０

５０

注：灌封胶用基础胶为ｃｍ（ＳｉＶｉ－３００）：栩（Ｓｉｖｉ一１０００）＝１：１的乙烯基硅油复配体系，交联剂为活性氢质量分数为０．２２％的含氢硅油，填料处理剂为ＫＨ５７０且其用量为填料量的０．５％

２．５电子灌封胶的性能

表６为按优化配方制得的加成型电子灌封胶ＴＦＳＥ

２００

与国外同类产品道康宁公司的Ｓｙｌｇａｒｄ１６０的性能对比。由表６可以看出，自制电子灌封胶与国外同类产品相比，基本

性能相似，但粘度更低，有利于灌封时流平和填满电子线路

之间的缝隙；导热系数更高，有利于电子元件在发热时散热；阻燃性能更佳（氧指数大），有利于隔断电子元件火源，消除

安全隐患。

表６自制电子灌封胶与国外同类产品的性能比较

Ｔａｂｌｅ６

Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ

ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎｏｆＴＦＳＥ２００

ａｎｄＳｙｌｇａｒｄ

１６０

注：Ｓｙｌｇａｒｄ

１６０性能数据摘自ＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎａｂｏｕｔＤｏｗＣｏｒ—

ｎｉｎｇ

ＢｒａｎｄＳｉｌｉｃｏｎｅＥｎｃａｐｓｕｌａｎｔｓ

３结论

以ｍ（ＳｉＶｉ－３００）：ｍ（ＳｉＶｉ－１０００）一１：１的乙烯基硅油复

配体系为基础胶、活性氢质量分数０．２２％的含氢硅油为交联

剂、氧化铝为导热填料、氢氧化铝为阻燃剂，通过添加适当偶联剂可以制得具有良好导热、阻燃性能的可室温固化的电子

灌封胶。当ｍ（基础胶）：ｒｅ（Ａ１２０３）：ｍ（ＡＩ（ＯＨ）３）＝１００；

１４０：６０、偶联剂ＫＨ５７０用量为填料用量的０．５％时，可制得导热系数为０．７２Ｗ／（ｍ Ｋ）、阻燃等级为ＵＬ－９４ＶＯ级的电

子灌封胶，其主要性能与国外同类产品相近，且粘度更低、导热系数更高、阻燃性能更佳。

参考文献

１

ＱｉａｏＨｏｎｇｙｕｎ（乔红云），ＫｏｕＫａｉｃｈａｎｇ（寇开昌），ＹａｎＬｕｋｅ

（颜录科），ｅｔａ１．Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆ

ｏｒｇａｎｉｃ

ｓｉｌｉｃｏｎｅｎｃａｐｓｕｌａ—ｔｉｏｎ（有机硅灌封材料的研究进展）Ｉ－Ｊ］．Ｊ

ＭａｔｅｒＳｃｉＥｎｇ（材

料科学与工程学报），２００６，２４（２）：３２１

２

Ｐｈｉｌｉｐ

Ｐｒｏｃｔｅｒ．ＪｉｔｋａＳｏｌｃ．Ｉｍｐｒｏｖｅｄｔｈｅｒｍａｌｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙｉｎ

ｍｉｅｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｅｎｃａｐｓｕｌａｎｔｓ［ｃ］／／ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ

Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ，Ｈｙｂｒｉｄｓ，ａｎｄ

ＭａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，

ＮｅｗＹｏｒｋ，１９９１：７０８３

ＹａｎｇＬ，ＫｉｎｇＣＫ，ＢｅｒｎｓｔｅｉｎＪＢＬｉｑｕｉｄｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇｅｎｃａｐ—ｓｕｌａｔｉｏｎｉｎｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｐａｃｋａｇｉｎｇ［Ｊ］．ＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎＩｎｔ，

２００３，２０：２９

４

ＷｕＭｉｎｊｕａｎ（吴敏娟），ＺｈｏｕＬｉｎｇｊｕａｎ（周玲娟），ＷａｎｇＧｕｏ－ｄｏｎｇ（汪国栋），ｅｔａ１．Ｐｒｏｇｒｅｓｓ

ｉｎ

ｓｔｕｄｙｏｆｔｈｅｒｍａｌｃｏｎｄｕｃ—

ｔｉｖｅ

ｓｉｌｉｃｏｎｅｅｎｃａｐｓｕｌａｎｔ（导热电子灌封硅橡胶的研究进展）

［Ｊ］．ＳｉｌｉｃｏｎｅＭａｔｅｒ（有机硅材料），２００６，２０（２）：８１

（下转第１１页）

室温固化导热阻燃有机硅电子灌封胶的制备及性能研究

Ｍ／ＨｇＩ：接触特性分析／许

岗等

Ｐｈｙｓ，１９８３，５４（６）：３２６０

１７

ＢａｏＸＪ，ＳｃｈｌｅｓｉｎｇｅｒＴＥ，ＪａｍｅｓＲＢＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆｃｏｐ－

ｉｉ

Ｙｅａｒｇａｎ

ＪＲ，ＴａｙｌｏｒＨＬＴｈｅＰｏｏｌｅ－Ｆｒｅｎｋｅｌｅｆｆｅｃｔｗｉｔｈ

ｐｅｒｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓｆｏｒ

ｍｅｒｃｕｒｉｃｉｏｄｉｄｅｄｅｔｅｃｔｏｒａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．Ｊ

ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎｐｒｅｓｅｎｔ［Ｊ］．ＪＡｐｐｌＰｈｙｓ，１９６８，３９（１２）：５６００

ＡｐｐｌＰｈｙｓ，１９９０，１２（６７）：７２６５

１２

ＭｅｌｌｅｔＪ，Ｆｒｉａｎｔ八Ｉ（ｔ），Ｉ（Ｖ）ａｎｄｓｕｒｆａｃｅｅｆｆｅｃｔｓｔｕｄｉｅｓｏｆ

１８

ＸｕＧａｎｇ（许岗），ＪｉｅＷａｎｑｉ（介万奇），ＬｉＧａｏｈｏｎｇ（李高宏）．

ｖａｐｏｒｇｒｏｗｎａｎｄｓｏｌｕｔｉｏｎｇｒｏｗｎＨｇｋｄｅｔｅｃｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｎｕｌｅ

｝Ｖｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆ

Ｈｇｌ，ｃｒｙｓｔａｌｗｉｔｈｓｐｕｔｔｅｒｅｄａｎｄｅｌｅｃ－

Ｉｎｓｔｒ

ＭｅｔｈＡ，１９８９，２８３（２）：１９９

ｔｒｏｌｅｓｓＡｕｃｏｎｔａｃｔｓ（晶体溅射Ａｕ电极与化学镀Ａｕ电极的

１３

ＸｕＧａｎｇ（许岗），ＪｉｅＷａｎｑｉ（介万奇），ＷａｎｇＬｉｎｇｈａｎｇ（：Ｆ＿领

｝Ｖ特性）ＥＪ］．ＣｈｉｎｅｓｅＪ

ＳｙｎｔｈＣｒｙｓｔ（人工晶体学报），

航）．Ｓｉｎｇｌｅ－ｃｒｙｓｔａｌｇｒｏｗｔｈ

ｏｆＨｇｌ２ａｎｄｉｔｓｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｓ

２００９，３８（４）：１００８

（碘化汞（ａ－Ｈｇｌ２）晶体生长及其性能表征）［Ｊ］．ＣｈｉｎｅｓｅＪ

１９

Ｆｒｉａｎｔ

Ａ，ＭｅｌｌｅｔＪ，Ｍｏｈａｍｍｅｄ－ＢｒａｈｉｍＴ．Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ

Ｓｙｎｔｈ

Ｃｒｙｓｔ（人工晶体学报），２００８，３７（４）：７９５ｏｆｄｅｅｐｅｎｅｒｇｙｌｅｖｅｌｓｉｎｍｅｒｃｕｒｉｃｉｏｄｉｄｅ［Ｊ］．ＰｈｙｓＳｔａｔＳｏｌａｒ１４罗德里克ＥＨ．金属半导体接触［Ｍ］．北京：科学出版社，

（ａ），１９８３，７９（１）：７１

１９８４：３５２０

ＳｃｈｉｅｂｅｒＭ

Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ

ｏｆＨｇｌ２ｎｕｃｌｅａｒｄｅｔｅｃｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｎｕｌｃ

１５

ＣｈｅｎｇＡＹ．Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎｏｆｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ

ｃｏｎｔａｃｔ

ｍａｔｅｒｉａｌｓｔａｂｉｌｉｔｙ

Ｉｎｓｔｒ

Ｍｅｔｈ，１９７７，１４４（３）：４６９

ｏｎ

ｍｅｒｃｕｒｉｃｉｏｄｉｄｅ［Ｊ］．ＭａｔｅｒＲｅｓＳＯｃＳｙｍｐＰｒｏｅ，１９９３，３０２：

２１

ＳｃｈｉｅｂｅｒＭ，ＬｕｎｄＪＣ，Ｏｌｓｅｎ

Ｒ

Ｗ，ｅｔａ１．Ｍａｔｅｒｉａｌ

ｐｒｏｐｅｒ—

１４１ｔｉｅｓａｎｄ

ｒｏｏｍ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｎｕｃｌｅａｒｄｅｔｅｃｔｏｒｒｅｓｐｏｎｓｅｏｆｗｉｄｅ

１６

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