S9014三极管规格书:三极管S9014参数与封装尺寸
江苏长电科技S9014贴片三极管(晶体管)规格书,SOT-23封装,外形尺寸与三极管型号S9014参数详见规格书。整理发布:长电三极管授牌代理商南京南山半导体有限公司。
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
FEATURES
Complementary to S9015 z
MARKING: J6 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors =====
= S9014 TRANSISTOR (NPN) MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO hFE Test conditions Min Typ MIC= 100μA, IEIC= 0.1mA, IBIE=100μA, ICVCB=50 V , IEμA VCE=35V , IBμA VEB= 3V , ICμA VCE=5V, IC= 1mA 200 1000 0.3 1 V V VCE(sat)C=100 mA, IB= 5mA VBE(sat)C=100 mA, IB= 5mA fT VCE=5V, IC= 10mA
f=30MHz MHz
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
Range
B,Dec,2011
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【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】http://www.77cn.com.cnTypical Characterisitics
Static Characteristic
8
)Am6
(
C
I TNER4
R UC ROTCEL2LOC0
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
V
1CEsat —— IC
NOITARU)
TV( A
S
t
a
s
RE
CETV0.1
T
IME
EG
-ART
OL
TO
CVELLOC
0.01
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
I
100C ——V)Am(
C
I10 TNERRU
C ROT1CELLOC0.1
BASE-EMMITER VOLTAGE VBE (V)
Cob/ Cib —— VCB/ VEB
100
)Fp
(10
C ECN A
TICA1
PAC
0.1
REVERSE VOLTAGE VR (V)S9014hFE —— IC1000EFh NIAG T100N ERRUC CD10COLLECTOR CURRENT IC (mA)VBEsat —— I21NOIT)AVR( U tTasAEBS V R E TETGIMATEL-EOSVAB0.1COLLECTOR CURRENT IC (mA)f 1000 ——I)zHM( Tf 100 YCNEUQ ERF N10OITISNART1COLLECTOR CURRENT IC (mA)P 250C —— TaN200
OITAPISS150)IDW RmE( W COPP 100 R O TCEL50LOC00255075100125150AMBIENT TEMPERATURE Ta (℃)
B,Dec,2011
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The bottom gasket
3000×15 PCS 3000×1 PCS The top gasket
Stamp “EMPTY”
on the empty box Seal the box
Seal the box
QA Label Label on the Inner Box Inner Box: 210 mm× 208 mm×203 mmLabel on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
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