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2SC5012NPN高频晶体管产品规格书

来源:网络收集 时间:2026-05-26
导读: 2SC5012硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。该芯片具有高功率增益(19dB@IC=20mA,VCE=6V,f=1GHz)、 低噪声特性(1.1dB)、大动态范围和理想的电流特性,截止频率fT=9GHz,集电极最大电流IC=70mA,是高频微波信号电路中的理想的三极管,主要使用在高

2SC5012硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。该芯片具有高功率增益(19dB@IC=20mA,VCE=6V,f=1GHz)、 低噪声特性(1.1dB)、大动态范围和理想的电流特性,截止频率fT=9GHz,集电极最大电流IC=70mA,是高频微波信号电路中的理想的三极管,主要使用在高频头、卫星电视接收器、无线数据传输模块等产品上。北京鼎霖电子科技有限公司开 发了系列高频和通用三极管,包括2SC5012,ON4973、BFG520以及2SC3356,BFQ591等系列产品。

2SC5012 NPN TRANSISTOR

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

简述:

本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及

低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;

主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中,

如卫星电视调谐器、CATV光纤传输中的中继放大器等产品;

集电极-发射极击穿电压:BVCEO=10V,集电极电流:IC=70mA,耗散功率:

PC=300mW,特征频率:fT=9GHz。

封装形式和引脚定义:

封装形式Package 本体激光标示Marking

引脚PIN

1 2 3 4

SOT143B N36 2SC5012 collector base emitter emitter SOT143B N42 2SC5012/X collector emitter base emitter SOT143R N48

2SC5012/XR collector emitter base emitter

极限参数(Tamb=25℃):

参数名称

集电极-基极击穿电压 集电极-发射极击穿电压 发射极-基极击穿电压 集电极电流 耗散功率 最高结温 储存温度

符号 额定值 单位 BVCBO 20 V BVCEO 10 V BVEBO 1.5 V IC 70 mA PT 300 mW TJ 150 ℃

-65~+150 Tstg ℃

http://doc.guandang.net

2SC5012硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。该芯片具有高功率增益(19dB@IC=20mA,VCE=6V,f=1GHz)、 低噪声特性(1.1dB)、大动态范围和理想的电流特性,截止频率fT=9GHz,集电极最大电流IC=70mA,是高频微波信号电路中的理想的三极管,主要使用在高频头、卫星电视接收器、无线数据传输模块等产品上。北京鼎霖电子科技有限公司开 发了系列高频和通用三极管,包括2SC5012,ON4973、BFG520以及2SC3356,BFQ591等系列产品。

电参数及规格(Tamb=25℃):

参数名称

集电极截止电流 直流电流放大系数 特征频率 反馈电容 集电极电容 发射极电容 插入功率增益

噪声系数

最大单边功率增益 输出电压

输出功率在1dB的增益压缩

符号 ICBO hFE f

T

C

re

C

C C

e ∣S21∣2

NF GUM VO PL1

测试条件

VCB=6V,I

E

=0

VCE=6V,IC=20mA VCE=6V,I

C=20mA

IC=iC

=0,VCB

=6V,f=1MHz IE=ie=0,VCB=6V,f=1MHz IC=iC=0,VEB

=0.5V,f=1MHz

I

C=20mA,VCE

=6V,f=900MHzV=6V,I=5mA,f=900MHz

VCE=6V,IC=20mA,f=900MHzV=8V,I=5mA,f=2GHz IC=20mA,VCE=6V,f=900MHzI=20mA,V=6V,f=2GHz

IC=20mA,VCE=6V,VO=75mV,f=810MHz

最小值

-

60 -

- - - 17 -

- - - - -

额定值

典型值

最大值

-

0.05

120

250

9

-

0.3 -

0.6 -

1.0

-

18 1.1

1.6 1.9 19 13 270 -50

- 1.6 2.1 - - - -

单位

μ

A

GHz pF pF

pF dB dB dB dB dB dB mV dB

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2SC5012硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。该芯片具有高功率增益(19dB@IC=20mA,VCE=6V,f=1GHz)、 低噪声特性(1.1dB)、大动态范围和理想的电流特性,截止频率fT=9GHz,集电极最大电流IC=70mA,是高频微波信号电路中的理想的三极管,主要使用在高频头、卫星电视接收器、无线数据传输模块等产品上。北京鼎霖电子科技有限公司开 发了系列高频和通用三极管,包括2SC5012,ON4973、BFG520以及2SC3356,BFQ591等系列产品。

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2SC5012硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。该芯片具有高功率增益(19dB@IC=20mA,VCE=6V,f=1GHz)、 低噪声特性(1.1dB)、大动态范围和理想的电流特性,截止频率fT=9GHz,集电极最大电流IC=70mA,是高频微波信号电路中的理想的三极管,主要使用在高频头、卫星电视接收器、无线数据传输模块等产品上。北京鼎霖电子科技有限公司开 发了系列高频和通用三极管,包括2SC5012,ON4973、BFG520以及2SC3356,BFQ591等系列产品。

包装信息PACKAGE INFORMATION

封装形式Package

SOT143B SOT143R

数量/盘Shipping 2000pcs/Tape&Reel2000pcs/Tape&Reel

盘/中盒Inner Box 10Tape&Reel 10Tape&Reel

中盒/箱Carton 6 Inner Box 6 Inner Box

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