光电探测实验报告

光电探测器参数测量

一、 光电探测器光谱响应度测量

本实验需测量硅光电二极管及热释电探测器（参照）两探测器随着波长改变光谱辐射的变化情况。利用Matlab处理数据，测得光谱辐射特性曲线及光谱响应曲线，如下图所示：

实验结果分析：

上图（左）反应了入射光波长与硅光电二极管经放大后输出Vf的关系。该图反映出随着光波长的增大，输出Vf逐渐增大，达到某极值后又随光波长的增大而逐渐减小的过程。上图（右）在未考虑参考探测器作用下，绘出光波长与探测器产生的电信号的光谱响应曲线。

二、 光电探测器响应时间的测试

1． 用脉冲法测量光电二极管的响应时间

表一 硅光电二极管的响应时间与偏置电压的关系

（注：负载电阻为10KΩ）

表二 硅光电二极管的响应时间与负载电阻的关系

（注：反向偏压为15V） 实验结果分析：

对于光电二极管，由表一、二发现，其响应时间与偏置电压成反比，与负载电阻成正比。

2． 用脉冲法测量光敏电阻的响应时间 测试条件：工作偏压15V，负载电阻为10KΩ

实验测得响应时间t=0.0150s 3．

用幅频特性法测量光敏电阻的响应时间

实验测得响应时间t=0.0241s 4． 用截止频率测量光敏电阻的响应时间

实验测得响应时间t=0.0022s 实验结果分析：

使用脉冲法、幅频特性法、截止频率三种方法测量光敏电阻的响应时间。比较不难发现，截止频率法测得响应时间最短，幅频特性法最长，脉冲法而测得的响应时间居中。