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类石墨烯二硫化钼的第一性原理研究 - 图文(9)

来源:网络收集 时间:2026-04-30
导读: [81] (4.4 ms/um)。有报道显示二硫化钼电子器件还拥有非常高的电流承载能力(5*107 A/ cm2)[121]和小的亚阈值摆幅(70 mV/dec)[120]。 另外,双层二硫化钼场效应管也展现出巨大的应用前景[118, 122-125]。美国

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(4.4 ms/um)。有报道显示二硫化钼电子器件还拥有非常高的电流承载能力(5*107

A/ cm2)[121]和小的亚阈值摆幅(70 mV/dec)[120]。

另外,双层二硫化钼场效应管也展现出巨大的应用前景[118, 122-125]。美国麻省理工学院的Tomas Palacios 和南京大学王欣然课题组[123, 124]甚至发现用双层二硫化钼作为沟道材料构筑的晶体管比单层二硫化钼的性能更加优异,他们认为这是由于双层二硫化钼不仅具有单层二硫化钼的高迁移率和开关比,同时与单层的相比,双层二硫化钼的带隙更窄,也更加稳定。

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万方数据

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