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数电课后答案康华光 - 图文(7)

来源:网络收集 时间:2025-12-24
导读: 110→111-→000 变化,计数器能够自启动。 6.5.15 试用74HCT161设计一个计数器,其计数状态为自然二进制数1001~1111。 解:由设计要求可知,74HCT161在计数过程中要跳过0000~1000九个状态而保留1001~1111七个状

110→111-→000 变化,计数器能够自启动。

6.5.15 试用74HCT161设计一个计数器,其计数状态为自然二进制数1001~1111。

解:由设计要求可知,74HCT161在计数过程中要跳过0000~1000九个状态而保留1001~1111七个状态。因此,可用“反馈量数法”实现:令74HCT161的数据输人端D3D2D1D0=1001,并将进位信号TC经反相器反相后加至并行置数使能端上。所设计的电路如图题解6。5.15所示。161为异步清零,同步置数。

6.5.18 试分析电路,说明电路是几进制计数器

解:两片74HCT161级联后,最多可能有162=256个不同的状态。而用“反馈置数法”构成的图题6.5。18所示电路中,数据输人端所加的数据01010010,它所对应的十进制数是82,说明该电路在置数以后从01010010态开始计数,跳过了82个状态。因此,该计数器的模M=255-82=174,即一百七十四进制计数器。

6.5.19 试用74HCT161构成同步二十四一制计数器,要求采用两种不同得方法。

解:因为M=24,有16<M<256,所以要用两片74HCT161。将两芯片的CP端直接与计数脉冲相连,构成同步电路,并将低位芯片的进位信号连到高位芯片的计数使能端。用“反馈清零法”或“反馈置数法”跳过256-24=232个多余状态。

反馈清零法:利用74HCT161的“异步清零”功能,在第24个计数脉冲作用后,电路的输出状态为00011000时,将低位芯片的Q3及高位芯片的Q0信号经与非门产生清零信号,输出到两芯片的异步清零端,使计数器从00000000状态开始重新计数。其电路如图题解6.5.19(a)所示。

反馈置数法:利用74HCT161的“同步预置”功能,在两片74HCT161的数据输入端上从高位到低位分别加上11101000(对应的十进制数是232),并将高位芯片的进位信号经反相器接至并行置数使能端。这样,在第23个计数脉冲作用后,电路输出状态为11111111,使进位信号TC=1,将并行置数使能端置零。在第24个计数脉冲作用后,将11101000状态置人计数器,并从此状态开始重新计数。其电路如图题解6。5.19(b)所示。

第七章 习题答案

7.1.1 指出下列存储系统各具有多少个存储单元,至少需要几根地址线和数据线。 (1)64K×1 (2)256K×4 (3)lM×1 (4)128K×8

解:求解本题时,只要弄清以下几个关系就能很容易得到结果: 存储单元数=字数×位数

地址线根数(地址码的位数)n与字数N的关系为:N=2n 数据线根数=位数

(1)存储单元〓64K×1〓64K(注:lK=1024);因为,64K〓2’。,即亢〓16,所以地址线为16根;数据线根数等于位数,此处为1根。 同理得:

(2)1M个存储单元,18根地址线,4根数据线。

(3)1M个存储单元,18根地址线,1根数据线。 ! _ (4)lM个存储单元,17根地址线,8根数据线。

7.1.2 设存储器的起始地址为全0,试指出下列存储系统的最高地址为多少? (1)2K×1 (2)16K×4 (3)256K×32

解:因为存储系统的最高地址=字数十起始地址一1,所以它们的十六进制地址是: (1) 7FFH (2) 3FFFH (3) 3FFFFH '

7,2.4 一个有1M×1位的DRAM,采用地址分时送人的方法,芯片应具有几条地址线? 解:由于1M=210×210,即行和列共需20根地址线。所以,采用地址分时送人的方法,芯片应具有10根地址线。 7.2.5 试用一个具有片选使能CE、输出使能OE、读写控制WE、容量为8 K×8位的sRAM芯片,设计一个16K×16位的存储器系统,试画出其逻辑图。 解:采用8K×8位的sRAM构成16K×16位的存储器系统,必须同时进行字扩展和位扩展。用2片8K×8位的芯片,通过位扩展构成8K×16位系统,此时需要增加8根数据线。要将

8K×16位扩展成16K×16位的存储器系统,还必须进行字扩展。因此还需2片8K×8位的芯片通过同样的位扩展,构成8K×16位的存储系统,再与另一个8K×16位存储系统进行字扩展,从而实现16K×16位的存储器系统,此时还需增加1根地址线。系统共需要4片8K×8位的SRAM芯片。

用增加的地址线A13控制片选使能CE便可实现字扩展,两片相同地址的sRAM可构成16位数据线。其逻辑图如图题解7。2.5所示。其中(0)和(1)、(2)和(3)分别构成两个8K×16位存储系统;非门将A13反相,并将A13和/A13分别连接到两组8K×16的片选使能端CE上,实现字扩展。

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