无机及分析化学复习(2)

16、晶体的特征，各向异性、熔点。分类：7个晶系；结合力不同分四类（离子晶体、原子晶体、金属晶体和分子晶体），注意他们的物理性

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质的区别。

17、金属键能带理论，导带、满带、禁带对导体、绝缘体、半导体及金属的物理性质的解释。

18、分子晶体，极性分子的条件，分子偶极的产生使分子间有三种力，色散力、诱导力、取向力。注意极——极有三种力，非极——极有两种力，非——非只有色散力。氢键——形成条件，有饱和性、方向性，对物理性质的影响。

19、离子晶体，构型和半径的规律性，离子晶体 AB型的三种典型晶体结构（NaCl，CsCl，ZnS），用离子半径比（0.414，0.732）推断。

20、离子极化的双重性，一般只考虑正离子的极化能力和负离子的变形性。如遇到Ag+、Hg2+等（18e，(18+2)e）变形性很大的正离子以及极化能力较大的负离子时，要考虑离子的附加极化作用。。

21、极化作用影响，向共价键过渡，晶型转变、溶解度下降、颜色加深、熔沸点降低等。

第八章：

1、配合物组成，命名，注意配位数、命名时中心离子的化合价。

2、配位物价键理论，中心离子的空轨道杂化及空间构型和磁性的变化，分内轨型和外轨性。

3、晶体场理论，d电子受到配位场斥力不相等，导致ML6配合物的d轨道能级分裂为最高能级eg（二重）和最低能级t2g（三重）。

4、影响分裂能Δo的因素: 中心离子的电荷高，Δo大。电荷相同时，

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核半径增大，Δo大。配位体的性质：“光谱化学序”，通常将CO，CN-等称为强场配位体，而X- 称为弱场配位体。

5、分裂后中心离子的d 电子排布, 当强场分布时，Δo > P，电子进入dε(t2g),成单电子数减少，μ↓——LS；当弱场分布时，Δo < P，电子进入dr(eg),成单电子数多，μ不变——HS。

6、晶体场稳定化能，CFSE = -2/5Δo·nt+ 3/5Δo·ne。

Δo一定时，进入低能轨道的电子数越多，则稳定化能越大，配合物越稳定。 晶体场理论对配合物磁性，颜色（d-d 跃迁）很好地解释。

n17、配离子的解离平衡，Kf 。βn = K n)。当TL >> f,i(i 1,2,3....Kdi 1

TM时，可利用βn 或 Kd 来计算。

8、配位平衡的移动，酸度、沉淀应用多重平衡规则，注意配位平衡中的有关电极电位的计算

9、酸效应αY(H) = c(Y') = 1 /δ(Y)，是pH的函数，随pH的增大，αc(Y)

c(M') =αc(M)M(L) +αM(OH) -1。 Y(H)趋向于1。配位效应αM=

条件稳定常数 lg K ‘

MY = lgK MY - lgαM - lgαY(H)

10、配位滴定曲线，注意化学计量点的计算。配位滴定条件：lg(c(M)·K '

MY) ≥ 6, 或lgK 'MY ≥ 8，如只有酸效应, lgK MY - lg

αY(H) ≥ 8, lgαY(H) ≤lgK MY - 8。可求得不同金属离子的能被滴定的最小pH值。

11、金属指示剂原理、条件、存在的问题。

12、配位滴定提高选择性方法：①控制溶液的酸度；②掩蔽法有配位

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掩蔽法、沉淀掩蔽法、氧化还原掩蔽法。有关滴定分析计算。

第九章：

1、朗伯—比尔定律：A = lgI1=lg0

TIt kcb，k——用a 表示

（L·g-1·cm-1）；用 表示（L·mol-1·cm-1，ε与a的关系为： = Ma 。 注意朗伯—比尔定律的应用和有关计算。偏离朗伯一比尔定律的原因：物理原因——入射的单色光不纯所引起的。化学原因——溶液本身的化学变化。

2、分光光度计的基本构造：一般包括光源、单色光器、吸收池、检测器、显示器五大部分。紫外、可见的器件不同。

3、分光光度测定的方法：标准曲线法，标准对照法，吸光系数法

4、显色反应条件，显色剂用量的选择（三种情况），酸度、温度、时间等因素。

5、 吸光度最佳范围（A 0.2~0.7 or T 20%~65%）误差 < 2%。三种空白。

第十章

1、电位分析法可以分成两类：直接电位法，电位滴定法。指示电极和参比电极的定义。常用的参比电极——甘汞电极，Ag-AgCl电极。

2、离子选择性电极（ISE）电位的产生原理和膜电位。主要的离子选择性电极有pH玻璃电极，氟离子选择性电极及计算方法。

3、直接电位法的应用，（1）溶液pH值的测定——pHx pHs Es Ex 2.303RT/F

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（2）离子浓度的测定——标准曲线法：E—lgci 作标准曲线。“总离子强度调节缓冲剂（TISAB）。标准加入法：——cx csVs(10ΔE/S 1) 1。 Vx

4 电位滴定法：（1）E~V曲线法，（2） E/ V~V曲线法（一级微商法）