041 电磁兼容技术综述 - 图文(9)

层屏蔽不够，最好采用双层屏蔽，图中G1为触发回路一次屏蔽侧，接机壳地，G2是二次侧屏蔽接晶闸管的阴极。由于晶闸管电路工作在开关状态，阴极电位变化强烈，而且电压较高，因此要求脉冲变压器具有足够的耐压和绝缘性能，为了避免击穿而损坏触发电路。除了晶闸管本身产生的噪声能进入触发回路以外，整流装置所用电网上的噪声也能侵入触发回路，例如整流装置合闸瞬间就可能引起晶闸管误触发。图中给出的整流回路仅是单相示意图，其他没有画。一般整流回路采用降压整流变压器，由高压供电网供电，在整流变压器一次侧合闸通电时，使一次侧对地电位跳跃式升高，这种突变也会通过整流变压器一次、二次间的分布电容传递到二次侧，同时使晶闸管对地电位突变，再通过脉冲变压器触发回路引起干扰。这种噪声的传递合整流变压器一次、二次间分布电容有关，分布电容越大，噪声传递量越大，一次测电压越高，对地电位变化越强烈。因此在一次侧电压高于5KV的整流变压器要采用静电屏蔽，并在二次侧绕组输出端经0.1μF的电容接地。静电屏蔽的作用使减小整流变压器一次、二次侧间的分布电容，从而减少噪声传递。0.1μF接地电容则起到了噪声滤波的作用。

图9

在晶闸管的阳极和阴极间通常并接RC吸收回路，主要为了抑制晶闸管工作时产生的高频振荡噪声，也是为了防止阳极和阴极间由于某种原因引起的正向电压上升太快，导致晶闸管误触发。但是如果RC吸收回路布置不妥，与触发回路一起具有公共导体，则很容易产生共阻抗干扰。图10（a）是具有公共阻抗耦合的布线实例，RC吸收回路和触发输出回路具有公共导体AB。晶闸管截止时RC回路的充电电流变化率可达几安至几十安/微秒，即使AB较短，电感较小，也会产生相当可观的电压降。设AB导线长20cm，电感为0.14~0.20μH，若充电电流上升率为10A/μS,则AB导线感抗上的压降为1.4～2.0V。这个电压与触发电压是同一方向的，而且足够大，因此又可以将刚截止的晶闸管触发导通，造成误动作。消除这种共阻干扰的方法是把RC吸收回路和触发电路分开，旨在阴极处单点连接，如图10（b）所示，这样两个回路就不再具有公共阻抗，在布线方面则要求：

图10

1）RC吸收回路的引线越短越好，并要紧贴晶闸管。触发输出线采用双绞线。这样可防止两个回路之间通过空间场相互耦合。

2）触发电路的各种连接线都是弱电信号线，必须与强电信号线例如晶闸管整流回路、传导装置中的继电器、信号指示回路中的连接线分开布置。

3）如需要强弱电信号回路都集中在一个机箱内，则强电信号线应集中在机箱一侧

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走线，则弱电信号线则应集中在机箱另一侧走线。在机箱的出现端子上强弱信号也应分开安排，不能互相交错接到端字排上。

4）为减少噪声的辐射和空间耦合，强电线应尽可能使用节距小于3~4cm的双绞线。为防止受干扰，每个晶闸管的触发线也应采用双绞线，并专线专用，不要采用公共导线（例如信号导线）传输不同的脉冲。可逆传动中的正反两组触发脉冲线也不要混在一起走线。

5）强电线布置是应尽可能贴近金属机壳，这样可以增加强电线和金属机壳间的分布电容，让强电线上的高频噪声流入金属机壳，减少向外辐射。而弱电线布置时应离开金属机壳，至少25mm以上，以减小两者间的分布电容，因为金属机壳上往往附有高频噪声，可以通过分布电容感应到弱电信号线上。

6）触发电路等弱点回路的供电电源应与晶闸管整流回路的供电电源分开，因为晶闸管整流回路工作时会在供电电源中产生谐波、尖峰、缺口。如一定要用同一电源供电则必须配置带静电屏蔽的专用隔离变压器，并采取足够的抗共模和差模噪声的滤波措施。

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