STM32F207中文数据手册(9)
来源：网络收集
时间：2026-04-28
导读：
1. 表18和图26中所有典型和最大值将会进一步降至50%，由于ST元件测试程序的不断提高。数据手册的新版本将反映出这些改变。 Page 78 表22. 待机模式下的典型和最大电流消耗（略） 1. 由设计保证，不在生产中测试。
1. 表18和图26中所有典型和最大值将会进一步降至50%，由于ST元件测试程序的不断提高。数据手册的新版本将反映出这些改变。
Page 78
表22. 待机模式下的典型和最大电流消耗（略） 1. 由设计保证，不在生产中测试。
表23. 在VBAT模式下的典型和最大电流消耗（略） 1. 由设计保证，不在生产中测试。 内置外设电流消耗
内置外设的电流消耗列于表24，MCU的工作条件如下：
Page 79
● 在启动时，所有I/O引脚都被硬件配置为模拟输入。 ● 所有的外设都处于关闭状态，除非特别说明。 ● 给出的数值是通过测量电流消耗计算得出
?关闭所有外设的时钟 ?只开启一个外设的时钟（只有时钟应用）
● 120MHz下，从闪存运行代码以及访问闪存的时间相当于三个等待周期 ● 预取和缓存开启
● 所有外设启动时，HCLK = 120MHz，fPCLK1 = fHCLK/4，以及fPCLK2 = fHCLK/2 ● 典型值是在VDD=3.3V以及TA=25°C条件下获得，除非另有说明。 表24 内置外设的电流消耗（略）
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STM32F207中文数据手册(9).doc
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