STM32F207中文数据手册(11)

2. 在100K次擦出操作后测量的最大编程时间 3. VPP只在编程/擦除期间连接

表38. 闪存存储器寿命和数据保存期限（略） 1. 由综合评估得出，不在生产中测试。 2. 循环测试均是在整个温度范围下进行。 5.3.13 EMC特性

在设备特性期间的一个示例基础上进行敏感测试。 功能性EMS(电磁敏感性)

在设备上执行一个简单的应用程序。（通过I/O口切换两个LED灯）。该系列被两个电磁事件强调，直到发生故障。LED灯将指明这个错误：

● 静电放电(ESD) （正和负）用于设备所有的引脚，直到发生功能障碍。这个测试是符合IEC 61000-4-2标准的。

● FTB：一阵快速瞬态电压（正和负）经过一个100pF的电容作用于VDD和VSS，直到一个功能性障碍发生。这个测试是符合IEC 61000-4-2标准的。 一个设备复位允许正常操作恢复。

表39给出了测试结果。他们是基于EMS水准和在应用笔记AN1709定义的类的。

Page 94

表39. EMS特性（略）

设计稳定的软件避免噪声问题。

在带有一个典型的应用环境和简化的MCU软件的元件水平上执行EMC特性和优化。应该注意的是好的EMC性能是高度依赖用户应用程度，特别是软件的。因此建议用户用EMC软件优化和资格预先测试他的应用程序中要求的EMC水准。

软件推荐

软件流程图必须包括失控条件的管理如： ● 程序损坏计数器 ● 意想不到的重置

● 关键数据丢失（控制寄存器...） 资格预审试验

大多数常见的故障（意想不到的复位和程序损坏计数器）能过被复制，通过在NRST引脚或振荡器引脚人工驱动一个低电平持续时间1s。

为了完成这些试验，在一系列规范值上，静电释放压力能够直接用于该系列。当意想不到的行为被检测到时，软件可以强化保护不可恢复的错误发生（见应用笔记AN1015）。

电磁干扰(EMI)

当一个简单的应用程序，正在执行EEMBC?代码时，该产品发射的电磁场可以被监测到。这个发射试验符合SAE IEC61967-2标准，特定的测试板和引脚加载。

Page 95

表40. EMI特征（略）

5.3.14 绝对最大额定值(电气灵敏度)

使用特定的测试方法，基于三种不同的测试（ESD, LU），强调该产品是为了确定其电气灵敏度方面的性能。 静电放电(ESD)

静电放电（一个正脉冲后跟一个负脉冲，时间间隔为一秒），可根据引脚组合用于每个采样的引脚。样本大小取决于设备中电源引脚的数量（3元件× (n+1)电源引脚）.这个测试符合JESD22-A114 / C101标准。

表41. ESD绝对最大额定值（略）

1. 由综合评估得出，不在生产中测试。

2. 在VBAT引脚上，VESD(HBM)限制在1000V. 静态封闭

在六个元件上两个互补的静态测试被要求去访问封闭性能： ● 电源过压将应用于每个电源引脚

● 电流注入用于每个输入，输出和可配置的I/O口。 这些测试符合EIA/JESD 78A IC封闭标准。

Page 96

表42. 电敏感（略）

5.3.15 I/O口电流注入特性

作为一般规则，电流注入到I/O引脚，由于外部电压低于VSS或高于VDD（标准，3V能力的I/O引脚），在正常产品操作时候应该避免。然而，为了赋予微控制器健壮性的指示，以防止不正常的注入电流突然发生，在设备特性期间，在一个样品基础上执行磁化率测试。

对I/O口电流注入的功能性磁化率。

当在设备上执行一个简单的应用程序的时候，设备在浮动输入模式下编程承受着注入电流流入I/O引脚。当电流注入I/O引脚时候，一次一个，设备检查功能性故障。

由一个超出范围的参数指明故障：

ADC误差超出一个特定的限度（>5 LSB TUE），相邻引脚上超出特定的注入电流，或者其他功能性的故障（例如复位，振荡器频率误差）。

表43给出了测试结果。

表43. I/O电流注入敏感性（略）

Page 97

5.3.16 I/O端口特性

通用输入/输出特性

除非另有说明，表44给出的参数是在表12总结的条件下测试得来的。所有的I/O口是CMOS和TTL兼容的。

表44. I/O口静态特性（略）

1. 如果VIH的最大值不能得到满足，外部注入电流必须限制在IINJ(PIN)的最大值。 2. TT=容忍3.6V 3. FT=容忍5V 4. 最小100mV。

5. 在施密特触发器转换水平之间的滞后电压。由综合评估得出，不在生产中测试。 6. 漏电可能高于最大值，如果负电流被注入相邻的管脚。