STM32F207中文数据手册

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基于ARM内核的32位MCU，150DMIPs，高达1MB Flash/128+4KB RAM，USB On-The-Go Full-speed/High-speed，以太网，17 TIMs，3 ADCs，15个通信&摄像头接口 主要特性： 内核：

使用ARM 32位Cortex?-M3 CPU，自适应实时加速器(ART加速器?)可以让程序在Flash中以最高120MHz频率执行时，能够实现零等待状态的运行性能，内置存储器保护单元，能够实现高达150DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)性能。 存储器：

高达1M字节的Flash存储器 512字节的动态口令存储器 高达128+4K字节的SRAM

灵活的静态存储控制器，支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器 并行LCD接口，兼容8080/6800模式 时钟、复位和电源管理：

1.65～3.6V用于供电和I/O管脚

上电复位、掉电复位、可编程电压监测器和欠压复位 4~26MHz晶体振荡器

内嵌经出厂调校的16MHz RC振荡器（25 °C下精度为1%） 带校准功能的32kHz RTC振荡器

内嵌带校准功能的32kHz的RC振荡器 低功耗：

睡眠、停机和待机模式

VBAT为RTC，20×32位后备寄存器，以及可选的4KB后备SRAM供电 3×12位A/D转换器，0.5μs转换时间：

多达24个输入通道

在三倍间插模式下转换速率高达6MSPS 2×12位D/A转换器 通用DMA：

16组带集中式FIFO和支持分页的DMA控制器 多达17个定时器：

多达12个16位和2个32位的定时器，频率可达120MHz，每个定时器有多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道和增量编码器输入 调试模式：

串行单线调试(SWD)和JTAG接口 Cortex-M3内嵌跟踪模块(ETM) 多达140个具有中断功能的I/O端口：

多达136个快速I/O端口，其频率可达60MHz 多达138个耐5V的I/O端口 多达15个通信接口：

多达3个I2C接口(支持SMBus/PMBus)

多达4个USART接口和2个UART接口 (传输速率7.5 Mbit/s，支持ISO7816，LIN，IrDA接口和调制解调控制)

多达3个SPI接口(传输速度可达30 Mbit/s)，其中2个可复用为I2S接口，通过音频

PLL或外部PLL来实现音频类精度

2个CAN接口(2.0B 版本) SDIO接口 高级互连功能：

带有片上物理层的USB 2.0全速设备/主机/On-The-Go控制器

带有专用DMA，片上全速PHY和ULPI的USB 2.0高速/全速设备/主机/On-The-Go控制器

带有专用DMA的10/100 以太网 MAC.，支持硬件IEEE 1588v2（MII/RMII） 8到14bit并行摄像头接口，最高达48Mbyte/s CRC计算单元 96位唯一ID

模拟真正的随机数发生器

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1 简介

这个数据手册给出了STM32F205xx和STM32F207xx系列微控制器的说明书。欲知意法半导体STM32?整个系列的更多细节，请参阅2.1节：完全兼容整个系列。

STM32F205xx和STM32F207xx数据手册必须结合STM32F20x/STM32F21x参考手册一起阅读。在整个文档中，他们被称为STM32F20x设备。

有关内部闪存存储器的编程、擦除和保护等信息，请参考《STM32F20x/STM32F21x闪存编程参考手册》。

参考手册和闪存编程参考手册均可在ST网站下载：www.st.com

有关Cortex?-M3内核的相关信息，请参考《Cortex-M3技术参考手册》，可以在ARM公司的网站下载：http://infocenter.arm.com/help/index.jsp?topic=/com.arm.doc.ddi0337e/

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2 概述

STM32F20x系列是基于工作频率高达120MHz的高性能ARM?Cortex?-M3 32位RISC内核。该系列整合了高速嵌入式存储器，Flash存储器和系统SRAM的容量分别高达1M字节和128K字节，高达4K字节的后备SRAM，以及大量连至2条APB总线、2条AHB总线和1个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O与外设。

该系列产品还带有自适应实时存储器加速器(ART加速器?)，在高达120MHz的CPU频率下，程序在Flash存储器中运行时，可以实现相当于零等待状态的运行性能。 已经利用CoreMark基准测试对该性能进行了验证。

所有产品均带有3个12位ADC模块、2个DAC模块、1个低功耗RTC、12个通用16位定时器(包括2个用于电机控制的PWM定时器)、2个通用32 位定时器。 1个真随机数发生器(RNG)。 所有产品都带有标准与高级通信接口。 新增的高级外设包括1个SDIO、1个增强型灵活静态存储器控制(FSMC)接口(100脚或100脚以上的产品)，和1个连接CMOS传感器的照相机接 口。 这个系列产品还配置有标准外设。

多达3个I2C接口

3个SPI接口，2个I2S接口。为了获得音频级精度，I2S外设可以通过一个专门的内部音频锁相环或一个外部锁相环锁相来达到同步。

4个USART接口和2个UART接口

带高速性能（带ULPI）的OTG全速USB接口

另有一个USB OTG（全速） 2个CAN接口 1个SDIO接口

以太网接口和摄像头接口是STM32F207xx设备特有的。 注意：

STM32F205xx和STM32F207xx设备工作于-40°C至+105°C的温度范围，供电电压1.8V至3.6V。当设备工作于0°C至70°C的温度范围内，并且IRROFF与VDD相连时，供电电压可降至1.7V。

一系列的省电模式保证低功耗应用的要求。

STM32F205xx和STM32F207xx系列产品提供包括从64脚至176脚的4种不同封装形式。根据不同的封装形式，器件中的外设配置不尽相同。这些丰富的外设配置，使得STM32F205xx和STM32F207xx系列微控制器适合于多种应用场合：

电机驱动和应用控制 医疗设备

工业应用：可编程控制器(PLC)、变频器、断路器 打印机和扫描仪

警报系统、视频对讲和暖气通风空调系统 家庭音频设备

图5给出了该产品系列的框图略。

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表2 STM32F205xx特性和外设数目略

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1. 对于LQFP100封装，只有FSMC Bank1或Bank2是可用的。Bank1只能用NE1片选来支持一个复合的NOR/PSRAM存储器。Bank2只能用NE2片选来支持一个16位或8位的NAND Flash存储器。由于这种封装G端口是不可用的，所以不能使用中断线。 2. SPI2和SPI3 接口以一种专用的方式灵活地工作于SPI模式或I2S音频模式。

3. 当设备工作于0°C至70°C的温度范围内，并且IRROFF与VDD相连时，供电电压最小值为1.7V。

表3 STM32F207xx特性和外设数目略

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表3 STM32F207xx特性和外设数目（continued）略

1. 对于LQFP100封装，只有FSMC Bank1或Bank2是可用的。Bank1只能用NE1片选来支持一个复合的NOR/PSRAM存储器。Bank2只能用NE2片选来支持一个16位或8位的NAND Flash存储器。由于这种封装G端口是不可用的，所以不能使用中断线。 2. SPI2和SPI3 接口以一种专用的方式灵活地工作于SPI模式或I2S音频模式。

3. 当设备工作于0°C至70°C的温度范围内，并且IRROFF与VDD相连时，供电电压最小值为1.7V。

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2.1 系列之间的全兼容性

STM32F205xx和STM32F207xx组成了STM32F20x系列，其成员之间是完全地脚对脚兼容，软件和功能上也兼容，在开发期间允许用户有更大的自由度来尝试不同的存储器密度和外设。

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