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近代价键理论 - 图文(6)

来源:网络收集 时间:2026-07-21
导读: Fig. 8.27 The site of tetrahedral holes in A1 type Fig. 8.28 The sites of octahedral holes in A1 type (5) 上述两种最紧密堆积的空间利用率 六方最紧密堆积: 42???r3232223h?(2r)?(??2r)空间利用率 = ,其中

Fig. 8.27 The site of tetrahedral holes in A1 type Fig. 8.28 The sites of octahedral holes in A1 type (5) 上述两种最紧密堆积的空间利用率 六方最紧密堆积:

42???r3232223h?(2r)?(??2r)空间利用率 = ,其中, ???74.0526(2r)2?sin120o?2h4164???r3??r3233立方面心最紧密堆积:空间利用率 = ????74.05% 6a3(22r)3Practice Exercise:如何计算立方体心(A2)与金刚石型(A4)的空间利用率? 已知晶体的晶胞参数,求晶体的密度,反之,已知晶体密度,求晶胞参数。

Sample Exercise:钨具有体心立方晶格,已知密度为19.30 g?cm?3,试计算钨原子的半径。

Mw = 183.9

Solution:??2?183.9a3?6.022?1023?10?24?19.30, ∴a?32?183.9?10?3.163?

19.30?6.022∵钨是体心立方, 3a?4r ∴r?3a?1.37? 4三、离子晶体(Ionic Crystals)

1.正、负离子半径比(r + / r ?)与配位数的关系:(对于AB型离子晶体而言)

r + / r ? ≥0.155 ≥0.225 ≥0.414 ≥0.732 1 配位数 3 4 6 8 12 构 型 三角形 四面体 八面体 立方体 最紧密堆积 证明:六配位(立方面心)的最小半径比(r + / r ?)的计算: 从图8.29中可知,2(r??r?)?2?2r? ∴ r??r??2r? ?2?1?0.414

八配位(简单立方)的最小半径比(r + / r ?)的计算: ∵立方体边长a = 2r ? ,体对角线为 2(r??r?)?3a?23r? ∴ r?/r??3?1?0.732

四配位 立方体的六个面对角线构成一个正四面体, 立方体的中心就是正四面体的中心(图8.27)。 从图8.28中可知:四面体的边长为立方体的面对角

线,长为2a,∴r??2a/2,立方体的体对角线长为 2(r??r?)?3a ∴ r??r??3a/2

Fig. 8.29 Cross section of an octahedral hole

142

?32?a?r??22∴ ??r??a???2a2?3?22?0.225

Fig. 8.30 The tetrahedron is shown as four vertices of a cube Fig. 8.31 The (110) face in Fig. 8.30

但要注意:r + / r ? 数值不是决定配位数的唯一因素,还有离子极化等因素对配位数发生影响。

2.常见二元离子化合物的典型结构型式 (1) NaCl型 晶胞见图8.32

1??1??1 a.组成比?8??6??:?12??1??4:4?1:1

2??4??8 b.负离子堆积方式:立方最紧密堆积;

?11??11??11?-

c.离子坐标 Cl:(0,0,0),0?,0,?,?,,?,?0,,?

2222?????22?1??111??1??1?? Na+:?,,?,0,0?,0?,0,? ?,?0,,?0,2??222??2??2??Fig. 8.32 The unit cell of sodium chloride

d.正、负离子配位数之比:6︰6;

e.正离子所占空隙种类及占有率:正八面体空隙 100% (2) CsCl型 晶胞见图8.33

1 a.组成比 (8?):1?1:1

8 b.负离子堆积方式:简单立方堆积

?111?-

c.离子坐标 Cl:(0,0,0),Cs+:?,,?

?222? d.正负离子配位数之比:8︰8 (3) 立方ZnS型 晶胞见图8.34

11?? a.组成比 ?8??6??:4?4:4?1:1

86??Fig. 8.33 The unite cell of cesium chloride

e.正离子所占空隙种类及占有率:立方体空隙 100%

b.负离子堆积方式:立方最密堆积

?11??11??11?0,0),0?,0,?, c.离子坐标 S2?:(0,?,,?,?0,,?

?22??22??22??111??331??313??133? Zn2+:?,,?,?,,?,?,,?,?,,?

?444??444??444??444?Fig. 8.34 The unit cell of zinc blende

d.正负离子配位数之比:4︰4

e.正离子所占空隙种类及占有率:正四面体空隙 50%

143

(4) 六方ZnS型 晶胞见图8.36

1??1?? a.组成比 ?8??1?:?4??1??2:2?1:1

8??4?? b.负离子堆积方式:六方紧密堆积 ?121? c.离子坐标 S2?:(0,0,0),?,,?

?332?5?121? Zn+:(0,0,),?,,?

8?338?Fig. 8.35 The crystal structure of wurtzite

d.正、负离子配位数之比:4︰4

e.正离子所占空隙种类及占有率:正四面体空隙 50% (5) CaF2型 晶胞见图8.37

11 a.组成比 (8??6?):8?4:8?1:2

82 b.负离子堆积方式:简单立方堆积 c.离子坐标

?11??11??11? Ca2+:(0,0,0),0?,0,?,?,,?,?0,,?

2222?????22??111??331??313??133?-

F:?,,?, ?,,?,?,,?,?,,?,?444??444??444??444??333??331??313??131??,,?,?,,?,?,,?,?,,? 444444444???????444?Fig. 8.36 The unit cell of wurtzite

d.正负离子配位数之比:8︰4

Fig. 8.37 The unit cell of calcium fluorite

e.正离子所占空隙种类及占有率:立方体空隙 50%

四、原子晶体(Atomic crystals)

1.以共价键结合而成的晶体,称为原子晶体 2.特性为高硬度,高熔,高沸点

3.组成 Ⅳ族元素:Sin——单晶硅 Cn——金刚石

(Si C)n——碳化硅 ⅢA—ⅤA族元素:(BN)n,(AlN)n

五、分子晶体(Molecular crystals)

晶格点上质点是分子

Fig. 8.38 Partial ionic lattice diagram of calcium fluoride

特性:低熔沸点,这是由于分子之间作用力弱的缘故

六、混合晶体(Mixture crystals) 石墨为例

石墨层内以共价键连接,层与层之间是分子间作用力。 晶胞(见图8.39)

ABA

Fig. 8.39 The structure of graphite Fig. 8.40 The unit cell of graphite

144

Practice Exercise:石墨晶体由层状石墨“分子”按ABAB方式堆积而成,如图8.40所示。 (1) 试确定该晶胞的碳原子个数。

(2) 写出晶胞内各碳的原子坐标。

(3) 已知石墨的层间距为334.8pm,C—C键长为142pm,计算石墨晶体的密度。 (4) 金属锂可以嵌入石墨的A、B层间,导致石墨的A、B层相互平行,形成化学式为LiC6的嵌入化合物。在LiC6中,Li+与相邻石墨六元环的作用力属何种键型?试画出Li+在石墨A层上的投影。

(5) 假想石墨每个六元环下都对应一个Li+,写出其化学式,画出晶胞图(c轴向上)。

145

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