光电技术复习资料

复习提纲：

1、说明什么是施主杂质和n型半导体。

2、费米分布函数及其物理意义。

3、以光敏电阻作为探测元件，设计光控制电路（如光控自动路灯），并简要分析

其工作原理。

4、光敏电阻的工作原理。

5、什么是内光电效应和外光电效应？举例说明。

6、简要说明PN结光伏效应。

7、画出光敏电阻的结构示意图，并说明理由。

8、如何选择光电导探测器的负载电阻？

9、设一维n型半导体材料：当x 0时， p(x) p(0)；当x 时， p(x) 0。

列出扩散方程，导出光生空穴浓度随位置x的变化关系。

10、导出N型半导体受恒定弱光照射后，突然光照停止，材料中非平衡载流子随

时间的变化关系

11、光照下pn结的电流方程，求出开路电压Uoc和短路电流Isc。

12、光电倍增管，若放大倍数的稳定度为1%，则电源电压的稳定度应是多少？

（设K已知）

13、磷掺入本征半导体硅中，形成的杂质半导体的杂质类型和半导体类型为

14、根据费米分布，能量远在费米能级之上的能级上占有电子和空穴的概率

15、已知本征载流子浓度和当施主杂质浓度，并假定全部电离时，电子浓度和空

穴浓度分别为？

16、已知CdS的禁带宽度为2.4eV，则其本征吸收的截止波长为？

17、光敏电阻的结构及其理由？

18、哪些光电探测器中不含pn结的是

19、与普通光电二极管相比，PIN光电二极管的特点是？

20、与普通光电二极管相比，雪崩光电二极管的特点是？

21、测辐射热电偶的基本原理基于什么效应？

22、PAL电视制式有哪些规定？

23、像管和像增强器的作用分别是什么？

24、设一维n型半导体材料：当x 0时， p(x) p(0)；当x 时， p(x) 0。列出扩散方程，导出光生空穴浓度随位置x的变化关系。

25、导出N型半导体受恒定弱光照射后，突然光照停止，材料中非平衡载流子随时间的变化关系

26、光照下pn结的电流方程，求出开路电压Uoc和短路电流Isc。

27、光电倍增管，若放大倍数的稳定度为1%，则电源电压的稳定度应是多少？（设K已知）

28、光电池的基本原理？

29、分析PN结的单向导电性？

30、说明光电二极管的工作原理？

31、结合光照下pn结的电流方程，说明硅光电池的照度-电流电压特性。

32、已知太阳电池的参数为：Uoc 0.54V，Isc 50mA，要用若干这样的光电池组合起来为0.5A、6V的蓄电池充电，应组成怎样的电路？

33、定性解释金属、半导体电阻-温度系数的区别。

34、按照费米分布函数，若某能级上电子占据概率为0.2，则空穴占据概率为？

35、设入射光光强为I0，材料表面的反射率为0.5，吸收系数为 ，则距离表面为处的光强为？

36、已知CdS的禁带宽度，则其本征吸收的截止波长为？

37、光电二极管环极有什么作用？

38、光电子器件主要包括哪些类别？

39、内光电效应包括包括哪些种类？

40、什么是本证跃迁？

41、热电偶测温基于什么效应？

42、作光电倍增管的原理图，简要说明光电倍增管的基本原理。