传感器与检测技术复习资料(3)

13．对传感器进行动态 标定(或校准或测试) 的主要目的是检测传感器的动态性能指标。 14．传感器的过载能力是指传感器在不致引起规定性能指标永久改变的条件下，允许

超过 测量范围 的能力。

15．传感检测系统目前正迅速地由模拟式、数字式，向 智能化 方向发展。

16．已知某传感器的灵敏度为K0，且灵敏度变化量为△K0，则该传感器的灵敏度误差计算

公式为rs= (△K0/K0)×100% 。

17．为了测得比栅距W更小的位移量，光栅传感器要采用 细分 技术。

18．在用带孔圆盘所做的光电扭矩测量仪中，利用孔的透光面积表示扭矩大小，透光面积减

小，则表明扭矩 增大 。

19．电容式压力传感器是变 极距(或间隙) 型的。

20．一个半导体应变片的灵敏系数为180，半导体材料的弹性模量为1.8×105Mpa,其中压阻

－

系数πL为 20.1×109 Pa-1。

21．图像处理过程中直接检测图像灰度变化点的处理方法称为 微分法 。 22．热敏电阻常数B大于零的是 负 温度系数的热敏电阻。

23．若测量系统无接地点时，屏蔽导体应连接到信号源的 对地低阻抗端(或接地端) 。

24．交流电桥各桥臂的复阻抗分别为Z1，Z2，Z3，Z4，各阻抗的相位角分别为

?1、?2、?3、?4，若电桥平衡条件为Z1/Z4=Z2/Z3，那么相位平衡条件应为

?1??3??2??4 。

25、导电丝材的截面尺寸发生变化后其电阻会发生变化，用这一原理可制成的传感器 称为_电阻应变式_______式传感器，利用有料具有磁致伸缩效应可制成的__压磁式________传感器也可用以测量力，而压电式传感器则利用了一些具有离子型晶体电介质的____压电_______效应，它敏感的最基本的物理量也是力。

26、热电式传感器中，能将温度变化转换为___电阻_______变化的一类称为热电阻，而能将温度变化转换为电势的称为__热电偶______，其中__热电偶_____式传感器在应用时需要做温度补偿(冷端补偿)。 27、旋转式编码器用以测量转轴的角位移，其中__绝对式编码器________在任意位置都有固定的数字编码与位置对应，线数为360线的增量式编码器分辨力为___1_________（角）度。 28、光电效应分为 内光电效应 和 外光电效应 两大类。 29、光纤的核心是由折射率 较大的纤芯 和折射率 较小的包层 构成的双层同心圆柱结构。

30、如果仅仅检测是否与对象物体接触，可使用_ ON-OFF型微动开关______作为传感器。 31、红外图像传感器由红外敏感元件和_电子扫描______电路组成。

dR32、在电阻应变片公式，=(1+2μ)ε+λEε中，λ代表_材料压阻系数______。

R33、利用电涡流位移传感器测量转速时，被测轴齿盘的材料必须是_金属______。

34、当磁头相对于磁尺不动时，仍有感应电动势输出的是静态磁头，且输出电势的幅值由_磁头所处的位置______所决定。

35、动态标定的目的，是检验测试传感器的_动态性能______指标。

36、确定静态标定系统的关键是选用被测非电量(或电量)的标准信号发生器和_标准测试系统______。

37、传感器的频率响应特性，必须在所测信号频率范围内，保持_不失真测量______条件。 38、热电偶电动势由_温度差______电动势和接触电动势两部分组成。 39、SnO2型半导体气敏器件非常适宜检测浓度较_低______的微量气体。

40、有源滤波器由集成运放和__ RC网络_____组成。 41、采用_交流______电源供电的电桥称为交流电桥。

42、多路模拟开关由__地址译码器_____和多路双向模拟开关组成。

43、为了提高检测系统的分辨率，需要对磁栅、容栅等大位移测量传感器输出信号进行_细分______。 44、若随机信号x(t)、y(t)的均值都为零，当τ→∞时，它们的互相关函数Rxy(τ)=___ 0____。 45、通常传感器由敏感元件、转换元件、基本转换电路三部分组成， 是能把外界非电量转换成电量的器件和装置。

46、金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化，这种现象称应变效应；固体受到作用力后电阻率要发生变化，这种现象称压阻效应。直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同，圆弧部分使灵敏度K下降了，这种现象称为横向效应。

47、差动变压器式传感器理论上讲，衔铁位于中心位置时输出电压为零，而实际上差动变压器输出电压不为零，我们把这个不为零的电压称为零点残余电压；利用差动变压器测量位移时，如果要求区别位移方向（或正负）可采用相敏检波电路。

48、把一导体（或半导体）两端通以控制电流I，在垂直方向施加磁场B，在另外两侧会产生一个与控制电流和磁场成比例的电动势，这种现象称霍尔效应，这个电动势称为霍尔电势。外加磁场使半导体（导体）的电阻值随磁场变化的现象成磁阻效应。

49、某些电介质当沿一定方向对其施力而变形时内部产生极化现象，同时在它的表面产生符号相反的电荷，当外力去掉后又恢复不带电的状态，这种现象称为正压电效应；在介质极化方向施加电场时电介质会产生形变，这种效应又称逆压电效应。

50、在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称光生伏特效应。 51、块状金属导体置于变化的磁场中或在磁场中作切割磁力线运动时，导体内部会产生一圈圈闭合的电流，利用该原理制作的传感器称电涡流传感器；这种传感器只能测量金属物体。 52、不同的金属两端分别连在一起构成闭合回路，如果两端温度不同，电路中会产生电动势，这种现象称热电效应；若两金属类型相同两端温度不同，加热一端时电路中电动势E =0。 53、噪声一般可分为（）和（）两大类。 外部噪声、内部噪声

54、差模干扰又称（）干扰、正态干扰、（）干扰、横向干扰等。 串模、常态

55、光纤是由（）和（）组成，按照的传播模式分类，光纤可以分为（）光纤和（）光纤。 纤芯、包层、多模、单模

56、光纤的数值孔径是衡量光纤（）的一个主要参数。 集光性能

57、实际上光在传播过程中存在损耗，主要有（）损耗、（）损耗、（）损耗及（）损耗。

费涅尔反射、光吸收、全反射、弯曲

58、热电偶中热电势的大小仅与（）的性质、（）有关，而与热电极尺寸、形状及温度分布无关。

热电极材料、两端点温度

59、霍尔效应是导体中的载流子在磁场中受（）作用产生（）的结果。 洛伦茨力、霍尔电动势

60、石英晶体（）压电效应产生的电荷量与晶片的几何尺寸无关，而（）压电效应产生的电荷量与

晶片的几何尺寸有关；压电陶瓷是一种（）铁电体。 纵向、横向、多晶 61、通常传感器由（）、（）、（）三部分组成，是能把外界（）转换成（）的器件和装置。 敏感元件、转换元件、基本转换电路、非电量、电量

62、金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化，这种现象称（）效应；固体受到作用力后电阻率要发生变化，这种现象称（）效应。直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同，圆弧部分使灵敏度K下降了，这种现象称为（）效应。 应变、压阻、横向

63、差动变压器式传感器理论上讲，衔铁位于中心位置时输出电压为零，而实际上差动 …… 此处隐藏：3666字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……