电镀工艺优化对铜金属层后孔洞缺陷的影响 - 图文(11)

电镀工艺优化对铜金属层后孔洞缺陷的影响

值介电质可靠性问题；化学机械研磨后铜的腐蚀以及电镀铜后产生的孔洞缺陷。其中电镀铜后孔洞缺陷是本文研究的重点。

常见的关于电镀铜后产生的孔洞缺陷的探讨，多见于探讨调整铜金属种子层的厚度；电镀铜工艺前清洗以去除污染物；电镀时转速的控制以及电镀时化学添加剂的改进等方法来达到减少铜金属层孔洞缺陷的数量。虽然这些方法对铜金属层孔洞缺陷的控制有一定的效果，但是还不能完全适用于大规模制造工艺。在此，本文试图结合300mm生产实际，寻求一种优化的电镀铜制备方式，既可以有效减少铜金属层孔洞缺陷发生，而且又是成本较低，可以适用于大规模的生产的工艺方式。

本文中，通过对比电镀铜工艺中不同的转速对孔洞缺陷的影响，通过调整工艺参数，可以有效控制孔洞缺陷的数量；通过对电镀后到化学机械研磨之间等待时间实验结果对照分析，结合实际生产需求，适当减少电镀后到化学机械研磨之间等待时间也可以有效控制孔洞缺陷的数量；根据对不同的退火的温度和退火时间的对比实验的结果，我们选择合适的退火条件即可以有效控制铜金属层后孔洞缺陷又不会对铜金属层的电导率和内应力造成大的影响。

结合生产实际，本文中找到了3种可以有效控制铜金属孔洞缺陷的数量的解决方法。基于大规模批量生产对工艺高性能与低成本必须兼顾的要求，我们最终选择了一种技术与成本兼顾的优化方案，有效地解决了生产中遇到的实际问题，提升了产品的成品率和可靠性。目前该方案已经被应用到300mm铜互连的生产线中，非常有效地控制了产品铜金属层后孔洞缺陷的数量，显著提高了产品的良率和可靠性，也提高了客户满意度。

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攻读学位期间发表的学术论文目录

上海交通大学黄涛的《电镀工艺优化对铜金属层后孔洞缺陷的影响》一文，已被由SEMI出版的《半导体制造》杂志录用，拟定于2010年05月刊予以发表

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