AEC - Q101中文标准规范 - 图文(4)

AEC - Q101 - Rev – D1 September 6, 2013

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組件技術委員會 表2-認證測試方法(續) # 16 應力方式 恆定加速度 簡稱 CA 數據 類型 2 備註 DGH (1) DGH (2) 樣品數/批 30 批數 1 備註B 接受 標准 0 缺陷 參考文件 MIL-STD-750 方法2006 JESD22 B-103 附加要求 僅適用於Y1設備,15kg力量,CA前後測應力 17 變頻震動 VVF 2 項目16#~19是密封封裝器件連續的測試(參考說明頁的註釋 H) 採用恆定位移0.06inch(2倍振幅)頻率20~100Hz,和50g恆定峰值加速度頻率100~2000Hz. VVF前後測試應力. 18 機械衝擊 MS 2 DGH (3) DGH (4) 0 缺陷 JESD22 B-104 JESD22 A-109 JESD22 A-111(SMD) B-106(PTH) J-STD-002 JESD22B102 1500 g's for 0.5mS, 5 次擊打, 3 個方位. MS實驗前後都要測應力 19 氣密性 HER 2 0 缺陷 根據特殊客戶規範,精細和粗略檢測洩漏 20 耐焊接熱 RSH 2 DG 30 1 0 缺陷 根據MSL等級,SMD器件在測試中應全部浸沒並預處理.RSH前後要測試應力 21 可焊性 SD 2 DG 10 1 備註B 0 缺陷 放大50X,參考表2中的焊接條件.對直插件,採用A測試方法.對SMD元件,採用測試方法B和Ｄ 22 熱阻抗 TR 3 DG 10/批 預處理和後處理 最少5個器件的10條焊線 1 0 缺陷 JESD24-3,24-4,24-6 MIL-STD-750 方法2037 AEC-Q101-003 MIL-STD-750 方法2017 測量TR以確保符合規範,並提供過程改變對比數據 23 邦線強度 WBS 3 DGE 1 0 缺陷 預處理和後處理變更比較來評估制程變更的穩健性 24 邦線剪切 BS 3 DGE 最少5個器件的10條焊線 1 0 缺陷 請看附件關於驗收標準明細和怎樣進行測試的程序 25 晶片剪片 DS 3 DG 5 1 0 缺陷 預處理和後處理變更比較來評估制程變更的穩健性 Page 16 of 21

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組件技術委員會 表2-認證測試方法(續) # 應力方式 簡稱 數據 類型 3 備註 樣品數/批 批數 接受 標准 0 缺陷 參考文件 AEC-Q101-004 章節 2 附加要求 預處理和後處理變更比較來評估制程變更的穩健性(僅適用於功率MOS和內部鉗位IGBT) 預處理和後處理變更比較來評估制程變更的穩健性,所有的器件必須超過最小的擊穿電壓(僅適用於MOS和IGBT) 26 鉗位感應開關 UIS D 5 1 27 介電性 DI 3 DM 5 1 0 缺陷 AEC-Q101-004 章節 3 28 短路可靠性 SCR 3 DP 10 3 備註B 0 缺陷 AEC-Q101-006 章節 3 僅適用於小功率器件 29 無鉛 LF 3 = = = AEC-Q005 適用於相關可焊性,焊熱阻抗和whisker要求, 將在2014.04.01或之前執行 Page 17 of 21

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表2说明

注释：

A：对参数验证数据，有些情况用户只需要一批可接受，随后的客户应决定采用先前客户认证通过的结论，但随后的客户将有权决定可接受的批次数。 B:当采用通用数据取代特殊数据时，要求3批次 C: 不适用于LED的，三极管，和其它光学部件 D: 破坏性试验后，器件是不可再用于认证或生产 E：确保每个样品具有代表性 F：仅适用于不同焊接金属（Au/Al) G: 容许通用数据。见章节2.3

H：仅要求密封封装器件。项目# 16~# 19是連贯測試评价內部及封裝机械強度。下面括号中的数字表示注释序列。

K：并不适用于电压调节器（齐纳二极管） L：仅适用于含铅器件 M: 仅适用于MOS&IGBT

N：非破坏性试验后，器件可再用于认证或生产 O：仅适用于电压调节器（齐纳二极管）

P：应考虑该测试是否将被施加到一个智能电源部分或取代的一Q100测试进行。考虑的要素包括逻辑/传感芯片的数量，预期的用户应用，开关速度，功耗，和引脚数量。 S：仅适用于表面贴装器件

T：当测试二极管，在间歇运作寿命条件下，100度的结点温度增量可能无法实现。若本条件存在，功率温度循环（项目10alt）试验应取代间歇运作寿命（第10项）的使用，以确保适当的结点温度变化发生。所有其他器件应采用IOL。

U: 仅这些测试中，可以接受的是使用未成形的引脚的封装（例如，IPAK）来判定新芯片将等效包装 （例如，DPAK），提供的芯片尺寸是等效包装合格的范围内。

V：用于双向瞬变电压抑制器（TVS），一半以上在每个方向上的测试持续时间的实验应执行

W：不适用于瞬态电压抑制器（TVS）。对于TVS，额定Ippm电流下100％的峰值脉冲功率 （PPPM）后，将进测试4.2节的PV数据

Ｘ：对于开关器件（例如，快速/超快速整流器，肖特基二极管）的用户/供应商规范规定的额定结温指的是一个开关模式的应用条件。对于那些可以承受HTRB中直流反向电压

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的热失控零件，在用户/供应商规范以及试验条件中没有规定的额定直流反向电压的最大额定结温，应在认证测试计划/报告中说明。例如：一个100V肖特基二极管; 100V 应被应用于TA的调整，直到达到最大的TJ而没有导致器件热失控，电压，TA和TJ应作为测试条件记录在认证计划/报告中 Y: 仅适用于晶体闸流管 Z：仅适用于LEDs

1: 仅适用于内部封装线直径小于5mil的MOSFET器件。

表 2A 間歇運行壽命(測試項#10)或功率溫度循環(測試項#10alt)的時間要求

封装形式 循环次数要求 ?T J ≥ 100°C 所有 60,000/(x+y) 15,000 次 循环次数要求 ?T J ≥ 125°C 30,000/(x+y) 7,500 次 最快(最少2分钟. on/off) x min. on + y min. off 一次循环时间 例1: 一個封裝能承受2分鐘開/4分鐘關 則需要10,000次 循環 [60,000/(2+4)] at ΔTJ≥ 100°C 或5,000 次循環 at ΔTJ ≥ 125°C 例2: 一個封裝能承受1分鐘開/1分鐘關則需要15,000 次循環 at ΔTJ ≥ 100oC 或 7,500次循環 at ΔTJ ≥ 125oC. X=該器件從周圍的環境溫度達到要求的ΔTJ所需要的最少時間. Y=該器件從要求的ΔTJ冷卻到周圍的環境溫度所需要的最少時間 测试板上的仪器，部件安装和散热方式将影响每个封裝的x和y 表2B 鍍SnPb焊端的可焊性要求(測試項#21) 焊线形式 插件焊线 SMD标准工艺 贴片低温焊锡 测试方法 A B B 焊线温度 235°C 235°C 215°C 260°C Steam Age分类 3 3 - 3 例外烘干處理 ----- ----- 4小时@155℃ ----- smd溶解的金属测试 D 注:請參考AEC-Q005無鉛焊接器件的可焊性測試要求 Page 19 of 21

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表3 制程變更測試選擇指南

說明:字母或●表明針對製成變更這些應力測試應該考慮要執行.

表2 測試項t# 3 4 目檢 5/ 8 9 10/ 6 7 7ab 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 abc /alt /alt/a alt TC Hot/TC Delam/WBI 證驗參 B/SSOTF/HBVC數HTRB/AP 高溫柵偏壓 溫度循環 測試名稱 變更 設計 晶片厚度 晶片直徑 芯片尺寸 佈線 場終端 芯片生產 芯片來源 印刷 擴散 摻雜/肖特基勢壘 離子注入 多晶硅 金屬化(頂面) 金屬化(側面) 鈍化/玻璃鈍化 氧化 外延生長 蝕刻 背面操作 生產現場運輸 組裝 芯片外被 引線框電鍍/無鉛封裝 引線框 Mat'l/來源 封裝/LF 尺寸 邦線 芯片分割 芯片準備/清潔 芯片粘接 封裝材料 封裝過程 密封 新封裝 測試過程/順序 封裝標識 組裝現場運輸 ● ● ● ● ● ● ● H D C C C D D H …… 此处隐藏：2777字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……