电力电子技术课程总结
电力电子
电力电子技术课程总结(本总结为各章小结的集合 )
第1章 晶闸管 章1.2 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管的通断条件:导通条件 晶闸管的阳极、 导通条件, 晶闸管的通断条件 导通条件, 晶闸管的阳极、 门极 都承受正向电压;关断条件, 都承受正向电压;关断条件, 晶闸管的阳极承受反向 电压或流过其阳极电流为零。 电压或流过其阳极电流为零 1.3 晶闸管的基本特性 门极伏安特性 IGT — 门极触发电流 UGT — 门极触发电压 注: 1 IG>IGT,UG>UGT(设计触发脉冲) 设计触发脉冲) 2 门极加负偏 门极加负偏1~3V,提高抗干扰能力 , 3 增大脉冲幅值及前沿陡度,缩短开通时间。 增大脉冲幅值及前沿陡度,缩短开通时间。
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第1章 晶闸管 章1.4 晶闸管的主要参数 1)电压定额 )通常取晶闸管的UDRM 和URRM 中较小的 标值作为该器件的额定电压。 选用时,一般取额定电压为正常工作时 晶闸管所承受峰值电压2~3倍。
2)电流定额 通态平均电流 IT(AV) ⊕定义 定义——在环境温度为40°C和规定的冷却条件 定义 下,稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最 最 大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流 大工频正弦半波电流的平均值 的参数。
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第1章 晶闸管 章使用注意: 使用注意: 选用时,一般取通态平均电流 通态平均电流为正常工作允许 通态平均电流 的1.5~2倍或
ITI
( A V )
=
I (1 . 5 ~ 2 ) 1 .5 7
流过晶闸管的电流有效值,其波形、频率可 以任意。
1.6
不可控器件—电力二极管 不可控器件 电力二极管主要参数计算与晶闸管类同。 主要参数计算与晶闸管类同。
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电力电子技术课程总结第2章 整流电路2.1.1 单相半波可控整流电路基本概念、基本分析方法、基本原理。
2.1.2 单相桥式全控整流电路
电路结构、各种负载时的波形、波形分析方法、 基本数量关系(Ud=0.9U2COSα)。2.1.4 单相桥式半控整流电路电路结构、各种负载时的波形、失控现象、续流
二极管的作用。 二极管的作用
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第2章
整流电路
电路结构、各种负载时的波形、波形分析方法、 基本数量关系、参数计算、控制要求。
2.2.1 三相半波可控整流电路 2.2.2 三相桥式全控整流电路
2.3 变压器漏感对整流电路的影响单相 全波 XB Id pId XB 2U2
换相重叠角——换相过程持续的时间,用电角度γ表示。 换相过程持续的时间, 表示。 换相重叠角 换相过程持续的时间 电路形式 单相全 控桥2XB Id p 2Id XB 2U2
三相 半波
DUdcos a - cos(a + g)
3XB Id 2p2X B I d 6U2
三相全 控桥 3XB Id p2X B I d 6 2 U
m脉波 整流电路mXB ① Id 2pId XB②
2 2 sin U
p m
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第2章
整流电路
2.4 整流电路的谐波m增加时,最低次
谐波(频率增加)次数增大, 且幅值迅速减小,电压纹波因数迅速下降。
2.5 整流电路的有源逆变工作状态 有源产生逆变的条件有:有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致, 其值大于变流器直流侧平均电压。 晶闸管的控制角α >π /2,使Ud为负值。
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第2章
整流电路
2.5 整流电路的有源逆变工作状态 电路结构、各种负载时的波形、 波形分析方法、基本数量关系、 参数计算、控制要求。
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2.5.2三相桥整流电路的有源逆变工作状态有源逆变状态时各电量的计算:U d = - 2.34U 2 cos b = - 1.35U L cos b 输出直流电流的平均值亦可用整流的公式,即(2-105)
Id =
U
d
2p 每个晶闸管导通2π /3,故流过晶闸管的电 流有效值为:I VT Id = = 0.577 I d 3(2-106)
- EM mX B RS 注:RS = R +
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2.5.2三相桥整流电路的有源逆变工作状态有源逆变状态时各电量的计算: 在三相桥式电路中,变压器二次侧线电流的 有效值为:
从交流电源送到直流侧负载的有功功率为:
2 I 2= 2IVT = I d = 0.816Id 32 S d
(2-108)
Pd = R I + EM I d
(2-107)
当逆变工作时,由于EM为负值,故Pd一般为负 值,表示功率由直流电源输送到交流电源。
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第2章
整流电路
2.5.3 逆变失败与最小逆变角的限制 逆变失败的原因逆变电路的附加保护环节——保证控制 保证控制 逆变电路的附加保护环节 区域内。 脉冲不进入 区域内 设置α min ≥ βmin,确保U d ≈ EM ,即α min < α < π βmin。
2.6 相控电路的驱动控制三个基本环节:脉冲的形成与放大、锯齿 波的形成和脉冲移相、同步环节。此外, 还有强触发和双窄脉冲形成环节。
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第3章 全控型器件 章当前的格局: 当前的格局IGBT为主体,第四代产品,制造水平2.5kV / 1.8kA,兆瓦以下 首选。仍在不断发展,与IGCT等新器件激烈竞争,试图在兆瓦 以上取代GTO。 GTO:兆瓦以上首选,制造水平6kV / 6kA。 光 控 晶 闸 管 : 功 率 更 大 场 合 , 8kV / 3.5kA , 装 置 最 高 达 300MVA,容量最大。 电力MOSFET:长足进步,中小功率领域特别是低压,地位牢 电力 固。 功率模块和功率集成电路是现在电力电子发展的一个共同趋势。 功率模块和功率集成电路
重点:IGBT 重点
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第4章
直流斩波电路
降压斩波电路、原理。 降压斩波电路、原理。 升压斩波电路、原理。 升压斩波电路、原理。 电压升高的原因:电感L 电压升高的原因:电感L储能使电压泵升的作用 电容C 电容C可将输出电压保持住计算: 首先由
e -1 m> r e-1Uo = a E
ar
(4-17)
判断电流断续否? 判断电流断续否?
然后,用 求Io、Uo
Uo - EM Io = R
轾 骣 ton + tx ÷m E Uo = 犏+ ç1a ç ÷ ç 犏 桫 T ÷ 臌 骣 ton + tx ÷E Uo - Em Io = ça m÷ =
ç ç 桫 T ÷R R
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第5章 交流电力控制电路和交交变频电路 5.1 交流调压电路单相调压电路的计算:由Z、U1、α、 图5-7→IVTN → IVT → IO 、P等。 整流与逆变规律: 整流与逆变规律
5.2 交交变频电路 电路构成和基本工作原理
哪一组工作由io方向决定,与uo极 性无关。 工作在整流还是逆变,则根据uo方 向与io方向是否相同确定。余弦交点法基本公式: α = cos (γ sin ω o t ) (5-13)1
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第六章 PWM控制技术脉宽调制PWM (Pulse Width Modulation) : 脉宽调制 就是对逆变电路开关器件的通断进行控制, 使输出端得到一系列幅值相等而宽度不相等的脉 冲,用这些脉冲来等效代替正弦波或所需要的波 形。 即通过对一系列脉冲的宽度进行调制, 即通过对一系列脉冲的宽度进行调制,来等效 的获得所需要的波形(含形状和幅值) 的获得所需要的波形(含形状和幅值)。
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第7章7.1 软开关的基本概念●软开关
软开关技术
在原电路中增加了小电感、电容等谐振元件,在开关过程前后引入 谐振,消除电压、电流的重叠。 谐振 ●零电压开关 开关开通 开通前其两端电压 电压为零——开通时不会产生损耗和噪声。 开通 电压 ●零电流开关 开关关断 关 …… 此处隐藏:2034字,全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……
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