《模拟电子技术基础》(第四版)童诗白,华成英 高等教育出版社 课

2011年8月上传《模拟电子技术基础》(第四版)童诗白 华成英 主编,高等教育出版社 自测题答案 习题答案

第一章半导体基础知识

自测题

一、（1）√（2）×

（3）√

（4）×（5）√

（6）×

二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC

三、UO1≈1.3VUO2＝0UO3≈－1.3VUO4≈2VUO5≈2.3V四、UO1＝6VUO2＝5V

UO6≈－2V

五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE

＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。

六、1、

IB=

VBB UBE

=26μARb

IC=β IB=2.6mAUCE=VCC ICRC=2V

UO＝UCE＝2V。

2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以

IC=IB=

VCC UCES

=2.86mA

Rc

IC

=28.6μAβ

V UBE

Rb=BB≈45.4k

IB

七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。

习题

1.1（1）AC（2）A（3）C（4）A

1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3ui和uo的波形如图所示。

1.4ui和uo的波形如图所示。

2011年8月上传《模拟电子技术基础》(第四版)童诗白 华成英 主编,高等教育出版社 自测题答案 习题答案

1.5uo的波形如图所示。

1.6ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。

1.7（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。1.8IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。

1.9（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故

UO=

RL

UI≈3.33V

R+RL

当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。

当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。

（2）IDZ=(UI UZ)R=29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。1.10（1）S闭合。

（2）Rmin=(V UD)IDmax≈233 ，Rmax=(V UD)IDmin=700 。

1.11波形如图所示。

1.1260℃时ICBO≈32μA。

2011年8月上传《模拟电子技术基础》(第四版)童诗白 华成英 主编,高等教育出版社 自测题答案 习题答案

1.13选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。1.14

1.15晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表管号上中下管型材料

T1ebcPNPSi

T2cbeNPNSi

T3ebcNPNSi

T4becPNPGe

T5cebPNPGe

T6becNPNGe

1.16当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为

IBQ=

VBB UBEQ

RbVBB UBEQ

Rb

=60μA，ICQ=β IBQ=3mA，uO=VCC ICQRC=9V

当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为

IBQ==160μA，ICQ=β IBQ=8mA，uO=VCC ICQRC＜UBE

1.17取UCES＝UBE，若管子饱和，则

β

VCC UBEVCC UBER=Rb=β RC，所以β≥b=100管子饱和。

RbRCRC

1.18当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为

IB=

uI UBE

=480μARb

IC=βIB=24mA

UEC=VCC ICRC＜VCC

1.19（a）可能（b）可能1.20根据方程

（c）不能（d）不能，T会损坏。（e）可能

iD=IDSS(1

uGS2

UGS(th)

逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。

1.21

2011年8月上传《模拟电子技术基础》(第四版)童诗白 华成英 主编,高等教育出版社 自测题答案 习题答案

1.22过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。

1.23uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。1.24（a）可能（b）不能（c）不能（d

）可能

第二章基本放大电路

自测题

一、（1）×（2）√

（3）×（4）×（5）√

（6）×

（7）×

二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。（b）可能

（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。

（e）不能。因为输入信号被C2短路。

（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。（g）可能。（h）不合理。因为G-S间电压将大于零。（i）不能。因为T截止。

三、（1）(VCC UBEQ)IBQ 565 ； (VCC UCEQ)β IBQ 3

2011年8月上传《模拟电子技术基础》(第四版)童诗白 华成英 主编,高等教育出版社 自测题答案 习题答案

（2） Uoi -120 ；

RL'

Uo 0.3

RC＋RL

（4）ABDE

（5）C

（6）BCE，AD

四、（1）A（2）C（3）B（4）B五、（1）C，DE（2）B（3）ACD六、

习题

2.1

e

cb

bbe

ccc

大小大

大大小

中大小

大小大

2.2（a）将－VCC改为＋VCC。（b）在＋VCC与基极之间加Rb。（c）将VBB反接，且加输入耦合电容。

（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。

2.3图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。

2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。2.5（1）×（2）×（3）×（4）√（5）×（6）×（7）×（8）√（9）√（10）×（11）×（12）√

2.6（1）6.4V（2）12V（3）0.5V（4）12V2.7

（5）12V

2011年8月上传《模拟电子技术基础》(第四版)童诗白 华成英 主编,高等教育出版社 自测题答案 习题答案

Q：IBQ=

VCC UBEQ

Rb

UBEQR

≈22μA

ICQ=β IBQ≈1.76mA

空载时：UCEQ=VCC ICQRc≈6.2V， rbe=rbb'+(1+β) = β Rc≈ 308 Au

rbe

Ri=Rb∥rbe≈rbe≈1.3k ≈ Aus

26mV

≈1.3k IEQ

rbe

≈ 93 Au

Rs+rbe

RL

ICQ(Rc∥RL)≈2.3V

Rc+RL

Ro=Rc=5k

RL=3k 时：UCEQ=

'β RL = A≈ 115u

rbe

≈ Aus

rbe

≈ 47 Au

Rs+rbe

2.8（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。（b）截止失真，减小Rb。（c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。

2.9（a）截止失真（b）饱和失真（c）同时出现饱和失真和截止失真

2.10（1）

ICQ=IBQ=Rb=

（2）

VCC UCEQ

RcICQβ

=2mA

=20μA

≈565k

VCC UBEQ

IBQ

Uo

= β RLR'=1k Au= = 100 AuL

Uirbe

11+=1 RL=1.5k RcRL

2.11空载时，Uom=

'

UCEQ UCES

2

≈3.28V

< …… 此处隐藏：7119字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……